iTomic HiK & MeT系列原子层沉积镀膜系统适用于客户制程高介电常数（High-k）栅氧层、MIM电容器绝缘层、TSV介质层、金属化等薄膜工艺需求；ALD系列设备凭借原子级别的精确控制、高覆盖率薄膜沉积和极高的工艺均匀性等优势，可为逻辑芯片、存储芯片以及先进封装制程提供介质层等关键工艺解决方案。相关技术和设备指标达到国内一流、国际先进水平。
1、兼容8至12英寸单片热ALD量产工艺;
2、采用原创设计的反应腔、源输送系统以及精确控温方案，可满足优异的薄膜均匀性和重复性需求，更适合三维和高深宽比器件结构内的薄膜生长;
3、薄膜材料：Al2O3、HfO2、SiO2、金属化等;
4、配置多至4种独立的高温前驱体输送系统，满足多元掺杂工艺需求;
5、设备通过28 nm量产工艺需求验证，满足客户多种需求。
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