iTomic HiK系列原子层沉积镀膜系统，适用于客户制程高介电常数（High-k）栅氧层、MIM电容器绝缘层、TSV介质层金属化、等薄膜工艺需求；ALD系列设备凭借原子级别的精确控制、沉积薄膜的高覆盖率和超薄膜厚的均匀性可为逻辑芯片、存储芯片以及先进芯片封装制程提供介质层等关键工艺解决方案，技术和设备指标达到国内一流、国际先进水平。

1、12英寸单片热ALD量产设备（兼容8英寸）；

2、采用原创设计的反应腔和源输送加热系统，可满足优异的薄膜均匀性和重复性，更适合三维和高深宽比器件结构的薄膜生长；

3、薄膜材料：Al₂O₃、HfO₂、SiO₂、金属化等工艺；

4、配置有4种独立的高温前驱体输送系统，满足ALD薄膜多元化掺杂工艺需求；

5、已实现28nm量产工艺需求，满足客户多种需求。